Ласло Лазур 13.03.2014 в 17:41

Samsung накануне производства чипов мобильной памяти DDR3 объемом в 4 Гбит

Компания Samsung начинает старт производства новых 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Заметим, что выпуск DRAM-памяти, а здесь ячейка состоит из связанных между собой транзистора и конденсатора, более сложен, чем создание флэш-памяти типа NAND с одним транзистором. Потому объемы DRAM-чипов значительно уступают объемам чипов флеш-памяти.

 Как справляется с этим компания? Samsung внедряет новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это даст возможность компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, с помощью иммерсионной ArF-литографии (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета),  а также создаст производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Samsung кроме всего прочего научилась наносить идеально однородные сверхтонкие диэлектрические пленки конденсаторов, что значительно улучшает возможности памяти.

А еще компания Samsung максимально повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Энергическая эффективность чипов на 25% опережают возможности мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.

Компания Gartner утверждает, что мировой рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 миллиардов долларов в 2013 году до 37,9 миллиардов долларов в 2014 году.

Спасибо за внимание к нашему сайту, если Вам понравилась публикуемая информация, Вы можете помочь в развитии ресурса, поделившись статьей через социальные сети.
Комментарии «Samsung накануне производства чипов мобильной памяти DDR3 объемом в 4 Гбит »
Войдите для того, чтобы оставить комментарии.